高校生でもわかる！3ナノ半導体

薄いフィン形状の素子をゲートで囲むFinFETは、スイッチを立体にして３方向から電圧をかけることでトランジスタの長さ（L）を短くしなくても性能を上げることができ、かつ微細化による電流が漏れる問題も解決しました。
フィン型はプレーナ型とは異なり、トランジスタの長さ（L）が性能や集積度などを表すプロセスノードとしては適切でなくなりました。
この図の中に３ナノメートルは出てきません。
では、「3ナノプロセス」というプロセスノードは何かというと、「このプロセスで製造した半導体の性能や集積度は、プレーナ型MOSFETの3nmプロセスに相当する」ことのようです。

ですので、今後プロセスノードの名称に「長さ」を使用することはなくなっていくでしょう。インテル社では、Intel7やIntel3といったプロセスノード名を使っています。

半導体プロセスは常に進化しています。FinFETの次は2ナノ半導体に使われる「GAA（Gate-All-Around）」型のMOSFETが発表されています。

そして、その次のオングストローム世代にむけてRIBBON FETやPOWER VIAといった技術が発表されています。
※　オングストローム（Å)：100億分の1メートル ＝ 0.1nm

「もう微細化の限界だろう」という壁を半導体業界はいくつも超えてきました。今後も微細化により「高性能」、「高機能」、「省電力」、「省スペース」という利益を世界に与え続けるでしょう。当社も半導体業界の一員として、プロセスの進化に乗り遅れることなく、この「価値」をお客さまへ提供し続けてまいります。